DSA30C45HB
preliminary
EAS
15.2 mJ
IAS
=AL =μH13
180
IAR
=1.31.5·VR
typ.:
f = 10 kHz
A
VA
non-repetitive avalanche energy
repetitive avalanche current
T= °CVJ
25
V = VR
45
Symbol Definition
Ratings
typ. max.
IR
V
IFAV
A
VF
0.74
RthJC
1.75 K/W
min.
15
VRSM
V
250
T = 25°CVJ
T = °CVJ
125
mA
2.5
V = VR
45
T = 25°CVJ
I = AF
15
V
T = °CC
155
Ptot
85
W
T = 25°CC
RthCH
K/W
max. non-repetitive reverse blocking voltage
reverse current, drain current
forward voltage drop
total power dissipation
Conditions
Unit
0.90
T = 25°CVJ
VF0
V
0.42
T = °CVJ
175
rF
9.2
m?
V
0.62
T = °CVJ
125
I = AF
15
V
0.77
I = AF
30
I = AF
30
threshold voltage
slope resistance
for power loss calculation only
μA
VRRM
V
45
max. repetitive reverse blocking voltage
T = 25°CVJ
CJ
497
junction capacitance
V = VR
5 T = 25°Cf = 1 MHz
VJ
pF
IFSM
t = 10 ms; (50 Hz), sine; T = 45°CV = 0 VR
VJ
max. forward surge current
T = °CVJ
175
340
A
rectangular 0.5d =
average forward current
thermal resistance junction to case
thermal resistance case to heatsink
Schottky
45
0.25
IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.
20131030a
Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified
? 2013 IXYS all rights reserved
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